檢索結果：共20筆資料 檢索策略： "黃鶯聲".ccommittee (精準) and cdept.raw="光電工程研究所"
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本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源，經旋轉塗佈於Textured單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。以此方式製作太陽電池，於標準AM 1.5光源下，雖不具抗反射膜，但轉換效率可達9.93…
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本論文利用熱化學氣相沉積法於碳布上合成奈米碳管。為了增強奈米碳管的場電子發射特性，本研究利用硝酸的化學改質處理，移除奈米碳管頂部的金屬觸媒。不同硝酸處理時間的奈米碳管的場發射特性皆被量測。結果顯示，…
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體，其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜，利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2，介面陷阱密度為6.4×…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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成功的利用濺鍍法，配合蔽蔭遮罩沉積薄膜暨圖案化的方式，製作多晶矽薄膜電晶體於玻璃基板上，所製作的TFT On/Off電流比為103，Mobility為10 cm2/V-S， Threshold vo…
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本篇論文主要研究方向在使用以醋酸鋅為蒸發源的化學氣相沉積法製作氧化鋅薄膜。以不同的氣體當載氣（氧氣和氬氣）和控制不同成長溫度來製造氧化鋅薄膜於矽基板上。薄膜分析以掃描電子顯微鏡、X光繞射譜線、拉曼散…
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本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源，經旋轉塗佈於polished單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。所製作pn二極體之ideal factor為1.52。以此方式製作太陽電池，雖不具抗反…
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奈米碳管具有高乘載電流密度、低功函數、高長徑比等特性，被認為適用於下一代場發射顯示器之理想材料。為了增強奈米碳管之場電子發射特性，本研究利用兩種改善奈米碳管場電子發射特性的方法，分別是利用黃光微影技…
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石墨烯為一新興二維碳材料，擁有較矽良好之導電性質，而室溫下具備高電子遷移率，使其多應用於場效電晶體之製作。以電子做為傳輸之N型電晶體的效能較P型佳，因此本實驗以N型材料為電晶體的通道。由於空氣中的水…
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現今，二維原子級薄膜奈米材料的結合是相當重要的發展趨勢，特別是二維材料的異質接面更是目前新興發展重點。本計畫致力於將同為二維材料的石墨烯與過渡金屬硫化物做異質接面的結合並深入探討其接面特性，應用於二…